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二极管的检测

二极管的检测

半??导体?二极管又称为晶体二极管,具有明显的单向导电性,是各种电器㎝设备中〒应用较为广泛的?一种半导体﹣元器*件,也是日常维修?中经常碰∟到∶的—种元器件,常见的有普通二极管、稳压二*极管、发光二极管?、?光敏二3极管等。熟练掌握各种二极管的检测£是初学者必需的技能。

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1.普通二极管的检测

(≒1)小功率?锗二极管?的正向电?阻为>300Ω~500Ω,硅工极管@?为?l2kΩ或更大∷些。锗二极管的反向电阻为几十干欧,硅二极?管?的?反向电阻?在500$kΩ以上(?大功率的其=值要小≤些)≧。

(2)∥根∵据二极管的正向电阻小,反向电阻大的特点可?判断二极管的极性。≯将万用表拨到欧姆挡(¥—般用R×10?0?或R×1k挡、不要用?R×1挡或R×10k挡。因为R×1挡使用电流?太大,容易烧毁管子;而R×二极管的检测10k挡?使用的电压太高,可能击穿管∷子)。用表笔分别与二极管的两极性相连,?测?出两阻值,在所测得阻值℡较小?的一次,?与黑℉表笔ml相连的一端即为m二极管的∑正极≮。同理,在所测得阻值较大的一次,与·黑表笔相接¢的一端为?二极管的负极。如♂果测得?的反向电阻很小,说明二极管内部短路?;若正向电阻很大,则说明管子内部断路。在这两种情?况下+二极管就¥需£报废。?

(√3)硅二极管一般正向压降≡为0.6V~0.7V,㎞锗二?/极管的正向压降为0.IV~0.3V,所以测量一下二极管的正向导通电压,便可判断被测二极管?是硅管还?是锗管,其方法是在干电池的—端串一个电阻(lkΩ),同时㎡按极性与二极±管相接,使二极管正向导通,这时用万㏄用表测量二极管两端的管压降,如果是0,6V~0.7V即为硅管浊?口为0,IV~0,3V即为锗管;若用在路动态∪测量则更为方便。

2.稳压二极管的测量

(1)¤一般使?用万?用表的低阻挡测量稳压二极管㏑,由于表内电池?为⒈5V,这个电压不足≦以使稳‰压二极管反向击穿,因而使用低阻挡测量稳压二×极管正反向电阻,其阻值应和普通二极?管一样μ。

(2)稳压二∫极?管的m稳压值vz的测量。?测℅量时,必须使∩管‖子㎏进人反向击?穿区,所以电源电压要大于被测3管的?稳?定电压?,这样,就必须用万用表的高阻挡(R×10k挡),这?时表内电池是电压较高的叠层电池,当万用﹣表∣′⊙量程置于高阻挡后,测其反向电阻,若实测阻值为Rx,则稳压?二极管的稳压值为:

式中,n-所用挡次的?倍率?数,如所?用万用⌒表的最?高电阻挡是R×10k,则n=?10%000。

R0-是万≥≈用表的?中心阻值。°

?

E0-是所用万用表最高电阻挡的电池电压值。<

?

例:用MF50∮型万?用表测一只?2CW14≌,R0=?10Ω,最高电阻挡为R×10k挡,Eo=15V,实测反向电阻为75kΩ,则其?稳压值是?:

-?

?

∞如果实测阻值?非常大(接近于无穷∝),表示被测管的稳压值Vz大于E0,无法将其?击穿。§如果实测阻=值很小(0或只″有几欧),则是表笔接反,只要将表?笔互换就可以。

?3.发光二极管的?测量

发光二极管是一种㏒把?电能变换成光能的半导?体器件,当它通过一定的电流时就会发光。它具有体积小,工作电压低,工作电流小等特点?,

(1)发光二极?管﹤内部是一∴个P?N结,具有%单向导电性,故其检测方法类似于—般二极?管的测量。?

(2)万用表置于R×1k或R×10k挡,测其正反向电阻值?,一般正向电阻小于50kΩ,反向电阻大于2∨00kΩ。

(3)发光二极管的工作?电流是重要的一个参数,工作电流太小,?发光二?极管点不亮,太大则易损坏发光×二极管。

(4)发光二极管正向开启电压为1.2V~﹥?2?.5V(高亮L???ED除外㎜),而反向击穿电压为5V左∧右。

4.光敏二极管的测?量?

光敏二极管是一种能把光照强弱变化转?换成∽电信号的半导体器件。

(1)光敏二极管的顶端有一个能?射?入光线的窗口?,光线通过∏?窗口照射到1管芯上,在光的激⊕发下,光敏二极?管内?产生大量的光电粒子,其导电能力大大增强,使内阻减小。

?(¬2)光敏二极管和稳压?二?极管类似,也是工作?≠在反向状态,÷须℃加反向电压?。

(?3)光敏二极管的正向电阻不随光的变化而变化,约为几千㏕欧。其反⊥向阻值在无光?照时较大,受到光照时,其 ?反向阻值变小,光?照越强,反向电阻越小,甚至仅几百欧。去除光∈照条件,反向电阻立即恢复㎎到原阻值。

(4?)根据上述?原理,用万用※表测光敏二极管的反向电阻,边测边改变光的强弱,观察?光敏№二极管的反向电阻的变化﹢。如在有㈱光◎和无光时,反向电阻无变化或变化极小,说明该管已经失效。

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